12月16日訊,近期,IBM(IBM.US)表示,其與三星合作在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)上取得了“突破”,在舊金山舉行的IEDM會(huì)議的第一天,這兩家公司公布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設(shè)計(jì),這種設(shè)計(jì)可以減少85%的能源消耗。
成都單片機(jī)MCU,成都單片機(jī)
據(jù)悉,IBM與韓國三星共同發(fā)布“垂直傳輸場效應(yīng)晶體管”(VTFET) 芯片設(shè)計(jì)。與當(dāng)前的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)相比,VTFET有望帶來翻倍的性能,減少85%能耗。IBM和三星聲稱,該工藝有朝一日可能允許手機(jī)在一次充電的情況下使用一整個(gè)星期,更加省電,從而減少對環(huán)境的影響。
IBM在新聞稿中列出了這項(xiàng)技術(shù)帶來的潛在好處,包括:開發(fā)新的芯片架構(gòu),延長手機(jī)待機(jī)時(shí)間至一個(gè)多星期,擴(kuò)展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用,減少能源密集型流程的能耗等。
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