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IGBT半導(dǎo)體器件市場(chǎng)格局及機(jī)會(huì)全析功率半導(dǎo)體器件是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件。主要用途包括逆變、變頻等。受惠于 5G 及電動(dòng)車需求的顯著增長(zhǎng),我們對(duì)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)發(fā)展持樂觀 看法。本文重點(diǎn)討論 IGBT/三代化合物半導(dǎo)體功率器件在技術(shù)推進(jìn)和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下迎來新一輪發(fā)展機(jī)遇。 1.功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求大增 1.1. 功率半導(dǎo)體概述 雙極型功率半導(dǎo)體包括功 率二極管、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、電力晶體管(GTR)、晶閘管、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等。單極型功率半導(dǎo)體包括功率 MOSFET、肖特基勢(shì)壘功率二極管等。它們的工作電壓和 工作頻率也有所不同。 1.2. 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局 |